温度电阻（温度电阻率的关系）

电阻和温度的关系？金属导体温度越高，电阻越大，温度越低，电阻越小。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。纯金属的电阻随温度的升高电阻增大，温度升高1℃电阻值要增大千分之几。半导体电阻值与温度的关系很大，温度稍有增加电阻值减小很大。

电阻和温度的关系？

金属导体温度越高，电阻越大，温度越低，电阻越小。

超导现象:当温度降低到一定程度时，某些材料电阻消失。

电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 计算值 80 A t1-----绕组温度 T------电阻温度常数(铜线取235，铝线取225) t2-----换算温度(75 °C或15 °C) R1----测量电阻值 R2----换算电阻值。

在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ=ρ0(1+αt)，式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。

由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001%) ，在考虑金属电阻随温度变化时 ， 其长度 l和截面积S的变化可略，故R = R0 (1+αt)，式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。

扩展资料：

电阻温度系数表示电阻当温度改变1度时，电阻值的相对变化，单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。

当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值，叫做电阻温度系数，它的单位是1代，其计算公式为 α=(R2-R1)/R1(t2--t1) 式中R1--温度为t1时的电阻值，Ω; R2--温度为t2时的电阻值，Ω。

电阻温度系数并不恒定而是一个随着温度而变化的值。随着温度的增加，电阻温度系数变小。因此，我们所说的电阻温度系数都是针对特定的温度的。

对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说，它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射，与温度具有很强的相关性。

实际的金属由于工艺的影响，造成它的晶格结构不再完整，例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在，电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。因此，实际的金属电阻率是由相互独立的两部分组成。

参考资料：百度百科——电阻温度系数

温度越高电阻越大吗?

多数(金属)的电阻随温度的升高而升高，一些半导体却相反。

原因：首先，由于电子的自由运动（不规则），金属可以导电。除了自由电子外，金属中的原子在其位置附近振动。振动的强度与金属的温度有关。

温度越高，振动就越强。同时，自由电子与原子间碰撞的几率越大，对电子的定向运动也就越有阻碍，即电阻的增加。当材料是金属时，温度越高，电阻就会越大。

影响电阻的因素有：

1、长度：通常来说导体长度愈长的话，电阻也就愈大，若是短距离传输的话，电阻是非常小的。

2、横截面积：同一种材料的导体，其长度相同的情况下，横截面积小的那个，电阻就更大一些。

3、材料：两个材料不一样的导体，就算长度、横截面积都一样，电阻也还是会有差别的，尤其是金属跟非金属之间的电阻更是相差甚远，现在有一种超导体材质，其电阻几乎为零。

4、温度：温度是影响导体电阻值的关键所在，上文中就有提到，温度对电阻的影响。大多数导体的温度愈高，其电阻就会愈大的，而对于碳这类非金属材料导体来说温度愈高的情况下，电阻反而愈小。

为什么温度越高电阻越大

当所讨论的物质是金属时，随着温度升高温度越高，电阻就越大。

原因：首先，由于电子的自由运动（不规则），金属可以导电。除了自由电子外，金属中的原子在其位置附近振动。振动的强度与金属的温度有关。

温度越高，振动就越强。同时，自由电子与原子间碰撞的几率越大，对电子的定向运动也就越有阻碍，即电阻的增加。

扩展资料

当材料是非金属材料（一些半导体）时，温度越高，电阻越小。其原因是当温度升高时，内部电子运动增强（且不来回振动），从而携带电荷。某些半导体的温度越往上升高，电阻就越大。然而，并非所有电阻都随温度升高而增大：

1、随着温度的升高，电阻越大，电阻可能越大，可能增加，减小，或者基本保持不变。这与电阻材质有关，电阻本身就是电阻的性质。

2、温度敏感电阻被称为热敏电阻，分为正温度系数热敏电阻和负温度系数热敏电阻。正温度系数热敏电阻的电阻值随温度的升高而增大，负温度系数热敏电阻的电阻值随温度的升高而减小。

3、纯金属的电阻随温度的增加而增加，而碳和绝缘体的电阻随温度的升高而降低。一些合金（如KangCopper和锰铜）的电阻与温度的变化几乎没有关系。

温度对电阻的影响是什么？

当为金属时，温度越高电阻越大。

原因：金属导电是因为其内部有自由运动的电子（无规则）。当温度上升时，这些电子会加剧地来回振动，以致于阻碍电流。非金属物质（部分半导体）温度越高电阻越小。原因：当温度上升时，其内部电子运动加剧（但不会来回振动），进而可以运载电荷。

如金属的电阻总是随温度的升高而增大，这是因为当温度升高时，金属中分子热运动加剧的结果。当导体电阻为1Ω时，温度变化1℃，其电阻变化的数值称为电阻温度系数。康铜、锰铜的电阻温度系数很小，它的电阻几乎不受温度影响，所以常用来制造标准电阻或变阻器。

有的物质（如电解液）当温度升高时，由于正、负离子运动加快，电阻反而减小，其电阻温度系数则为负值。

电阻与温度的关系是什么？

导体的电阻与温度的关系：

1、纯金属的电阻随温度的升高电阻增大，温度升高1摄氏度，电阻值增大千分之几。碳和绝缘体的电阻随温度的升高阻值减小。

2、半导体电阻值与温度的关系大，温度稍有增加电阻值减小大有的合金如康铜和锰铜的电阻与温度的变化没有关系。

3、电阻随温度变化都有用处，利用电阻与温度变化的关系可制造电阻温度计，铂电阻温度计能测量零下263摄氏度到1000摄氏度的温度，半导体锗温度计可测量很低的温度，康铜和锰铜是制造标准电阻的好材料。

电阻与温度关系公式

1、电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 。

计算值 80 A t1-----绕组温度 T------电阻温度常数(铜线取235，铝线取225) t2-----换算温度(75 °C或15 °C) R1----测量电阻值 R2----换算电阻值。

2、在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ=ρ0(1+αt)，式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。

由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001%) ，在考虑金属电阻随温度变化时 ， 其长度 l和截面积S的变化可略，故R = R0 (1+αt)，式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。

3、电阻温度系数表示电阻当温度改变1度时，电阻值的相对变化，单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。

当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值，叫做电阻温度系数，它的单位是1代，其计算公式为 α=(R2-R1)/R1(t2--t1) 式中R1--温度为t1时的电阻值。

Ω; R2--温度为t2时的电阻值，Ω。

扩展资料：

电阻和温度的关系：

导体的电阻与温度有关。纯金属的电阻随温度的升高电阻增大，温度升高1℃电阻值要增大千分之几。碳和绝缘体的电阻随温度的升高阻值减小。

半导体电阻值与温度的关系很大，温度稍有增加电阻值减小很大。有的合金如康铜和锰铜的电阻与温度变化的关系不大。

对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说，它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射，与温度具有很强的相关性。实际的金属由于工艺的影响，造成它的晶格结构不再完整。

例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在，电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。因此，实际的金属电阻率是由相互独立的两部分组成。

电阻随温度变化的这几种情况都很有用处。利用电阻与温度变化的关系可制造电阻温度计，铂电阻温度计能测量—263℃到1000℃的温度，半导体锗温度计可测量很低的温度。

康铜和锰铜是制造标准电阻的好材料。

例如：电灯泡的灯丝用钨丝制造，钨的电阻随温度升高而增大，温度升高1℃电阻约增大千分之五。灯丝发光时温度约2000℃，所以，电阻值约增大10倍。

灯丝发光时的电阻比不发光时大得多，刚接通电路时灯丝电阻小电流很大，用电设备容易在这瞬间损坏。

参考资料来源：百度百科-电阻温度系数