以硅为例,在一定的温度范围内,半导体的电阻率随温度的升高,而变小.因为半导体价带上的电子,随着温度的升高,不断地被激发到导带,使载流子的数量增加,其导电性得到不断加强,电阻率变小;当温度上升到一定高度,价带电子的激发到了极限,同时晶格的热振动加剧,对载流子的散射作用也增强.这时,随着温度的进一步升高,半导体的电阻率则反而会增大.为什么半导体的温度不能过高?因为半导体中的本征电子和空穴浓度会受温度的影响发生明显的变化,即本征载流子的激发浓度会随温度的不同而发生变化,进而影响半导体的各项电学性能。
以硅为例,在一定的温度范围内,半导体的电阻率随温度的升高,而变小.因为半导体价带上的电子,随着温度的升高,不断地被激发到导带,使载流子的数量增加,其导电性得到不断加强,电阻率变小;
当温度上升到一定高度,价带电子的激发到了极限,同时晶格的热振动加剧,对载流子的散射作用也增强.这时,随着温度的进一步升高,半导体的电阻率则反而会增大.
首先,常识我们知道,任何东西的温度太高,都会产生物理或者化学性的变化(烧坏),在理论上,实际应用的半导体大都是掺杂的半导体,而且大都是利用掺杂半导体中杂质电离产生的载流子进行工作的,在半导体工作温度下,杂质电离起主导作用,但半导体中的杂质电离和本征激发都是随温度的升高而升高,当温度太高时,杂质处于完全电离,本征激发继续随温度升高而继续激发出载流子,温度升高到一定值后本征激发产生的载流子浓度超过杂质电离,就很难通过外界的其他条件进行控制半导体中的载流子的运输,分布,从而失去了半导体所特有的电学性质了
因为半导体中的本征电子和空穴浓度会受温度的影响发生明显的变化,即本征载流子的激发浓度会随温度的不同而发生变化,进而影响半导体的各项电学性能。
温度同样会影响半导体中载流子的散射情况。高温下半导体中原子振动加强,增大了对载流子的散射。在对半导体升温的过程中,有一个区间是温度升高电阻率变大
温度会影响半导体掺杂的有效激发
温度会影响半导体中陷阱和缺陷对载流子的俘获能力,已经被俘获载流子的复合几率
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